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        產品信息

        4H 導電型

        SiC單晶襯底

        4H n-type

        當前位置 > 4H-導電型碳化硅單晶襯底
        天岳先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量
        更好的滿足客戶的需求
        目前可批量供應6英寸產品
        8英寸產品正在研發中

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        基本信息

        導電型
        • 晶型 4H
        • 直徑(mm) 150
        • 偏角(°) 4
        • 厚度(μm) 350
        • 表面狀態 Epi-ready

        電力電子器件

        通過在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層,制得碳化硅同質外延片,可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件,應用在新能源汽車,軌道交通以及大功率輸電變電等領域。
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